SULJE VALIKKO
KIRJAUDU
Englanninkielisten kirjojen poikkeusaikata... LUE LISÄÄ
| Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology 172,80 € Springer Sivumäärä: 624 sivua Asu: Kovakantinen kirja Painos: 2000 Julkaisuvuosi: 2000, 31.12.2000 (lisätietoa) Kieli: Englanti Tuotesarja: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry 2 Silicon dioxide plays a central role in most contemporary electronic and photonic technologies, from fiber optics for communications and medical applications to metal-oxide-semiconductor devices. Many of these applications directly involve point defects, which can either be introduced during the manufacturing process or by exposure to ionizing radiation. They can also be deliberately created to exploit new technologies. This book provides a general description of the influence that point defects have on the global properties of the bulk material and their spectroscopic characterization through ESR and optical spectroscopy. Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 4-5 viikossa | Tilaa jouluksi viimeistään 27.11.2024
Myymäläsaatavuus
Näytä kaikki tuotetiedotISBN: 9780792366850 Aihealue: |
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisäänRekisteröityminen |
Oma tili
Omat tiedotOmat tilaukset Omat laskut |
Lisätietoja
AsiakaspalveluTietoa verkkokaupasta Toimitusehdot Tietosuojaseloste |