Electrical Properties of n-GaN based MOS type Schottky Junctions, Prasad, Chowdam Venkata; Reddy, Prof Varra Rajagopal, LAP Lambert Academic Publishing

KIRJAUDU

ostoskori

avaa valikko

Electrical Properties of n-GaN based MOS type Schottky Junctions

74,60 €

LAP Lambert Academic Publishing
Sivumäärä: 152 sivua
Asu: Pehmeäkantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2021, 13.01.2021 (lisätietoa)
Kieli: Englanti

Tuotteella ei tuotekuvausta.

LISÄÄ OSTOSKORIIN

Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 3-4 viikossa

Myymäläsaatavuus

Helsinki

Tapiola

Turku

Tampere

Näytä kaikki tuotetiedot

ISBN:

9786203202168

Aihealue:

Sisäänkirjautuminen

Oma tili

Lisätietoja