Electrical Properties of n-GaN based MOS type Schottky Junctions, Prasad, Chowdam Venkata; Reddy, Prof Varra Rajagopal, LAP Lambert Academic Publishing

KIRJAUDU

ostoskori

avaa valikko

Electrical Properties of n-GaN based MOS type Schottky Junctions

Chowdam Venkata Prasad, Prof Varra Rajagopal Reddy

131,10 €

LAP Lambert Academic Publishing
Sivumäärä: 152 sivua
Asu: Pehmeäkantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2021, 13.01.2021 (lisätietoa)
Kieli: Englanti

Tuotteella ei tuotekuvausta.

LISÄÄ OSTOSKORIIN

Tuotteella on huono saatavuus ja tuote toimitetaan hankintapalvelumme kautta. Tilaamalla tämän tuotteen hyväksyt palvelun aloittamisen. Seuraa saatavuutta.

Myymäläsaatavuus

Helsinki

Tapiola

Turku

Tampere

Electrical Properties of n-GaN based MOS type Schottky Junctions

Näytä kaikki tuotetiedot

ISBN:

9786203202168

Aihealue:

Ulkomaiset kirjat » Technology » Electronics » General

Sisäänkirjautuminen

Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen

Oma tili

Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut

Lisätietoja

Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste