KIRJAUDU
Englanninkielisten kirjojen poikkeusaikata... LUE LISÄÄ
Chowdam Venkata Prasad | Akateeminen Kirjakauppa
ELECTRICAL PROPERTIES OF N-GAN BASED MOS TYPE SCHOTTKY JUNCTIONS | ||
| Electrical Properties of n-GaN based MOS type Schottky Junctions 131,70 € LAP Lambert Academic Publishing Sivumäärä: 152 sivua Asu: Pehmeäkantinen kirja Julkaisuvuosi: 2021, 13.01.2021 (lisätietoa) Kieli: Englanti Tuotteella ei tuotekuvausta. Tuotteella on huono saatavuus ja tuote toimitetaan hankintapalvelumme kautta. Tilaamalla tämän tuotteen hyväksyt palvelun aloittamisen. Seuraa saatavuutta.
Myymäläsaatavuus
 Näytä kaikki tuotetiedotISBN: 9786203202168 Aihealue: | |
|
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisäänRekisteröityminen |
Oma tili
Omat tiedotOmat tilaukset Omat laskut |
Lisätietoja
AsiakaspalveluTietoa verkkokaupasta Toimitusehdot Tietosuojaseloste |