SULJE VALIKKO

avaa valikko

Prof Varra Rajagopal Reddy | Akateeminen Kirjakauppa

ELECTRICAL PROPERTIES OF N-GAN BASED MOS TYPE SCHOTTKY JUNCTIONS

Electrical Properties of n-GaN based MOS type Schottky Junctions
Chowdam Venkata Prasad; Prof Varra Rajagopal Reddy
LAP Lambert Academic Publishing (2021)
Pehmeäkantinen kirja
130,80
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Electrical Properties of n-GaN based MOS type Schottky Junctions
130,80 €
LAP Lambert Academic Publishing
Sivumäärä: 152 sivua
Asu: Pehmeäkantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2021, 13.01.2021 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
Tuotteella ei tuotekuvausta.

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tuotteella on huono saatavuus ja tuote toimitetaan hankintapalvelumme kautta. Tilaamalla tämän tuotteen hyväksyt palvelun aloittamisen. Seuraa saatavuutta.
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Electrical Properties of n-GaN based MOS type Schottky Junctionszoom
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9786203202168
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste