SULJE VALIKKO

avaa valikko

Gas Source Molecular Beam Epitaxy : Growth and Properties of Phosphorus Containing III-V Heterostructures
97,90 €
Springer
Sivumäärä: 428 sivua
Asu: Pehmeäkantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2011, 30.12.2011 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
The first book to present a unified treatment of hybrid source MBE and metalorganic MBE. Since metalorganic MBE permits selective area growth, the latest information on its application to the INP/GaInAs(P) system is presented. This system has been highlighted because it is one of rising importance, vital to optical communications systems, and has great potential for future ultra-highspeed electronics. The use of such analytical methods as high resolution x-ray diffraction, secondary ion mass spectroscopy, several photoluminescence methods, and the use of active devices for materials evaluation is shown in detail.

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 14-17 arkipäivässä
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Gas Source Molecular Beam Epitaxy : Growth and Properties of Phosphorus Containing III-V Heterostructures
Näytä kaikki tuotetiedot
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste