SULJE VALIKKO
KIRJAUDU
GAS SOURCE MOLECULAR BEAM EPITAXY : GROWTH AND PROPERTIES OF PHOSPHORUS CONTAINING III-V HETEROSTRUCTURES | ||
| Gas Source Molecular Beam Epitaxy : Growth and Properties of Phosphorus Containing III-V Heterostructures 97,90 € Springer Sivumäärä: 428 sivua Asu: Pehmeäkantinen kirja Julkaisuvuosi: 2011, 30.12.2011 (lisätietoa) Kieli: Englanti Tuotesarja: Springer Series in Materials Science 26 The first book to present a unified treatment of hybrid source MBE and metalorganic MBE. Since metalorganic MBE permits selective area growth, the latest information on its application to the INP/GaInAs(P) system is presented. This system has been highlighted because it is one of rising importance, vital to optical communications systems, and has great potential for future ultra-highspeed electronics. The use of such analytical methods as high resolution x-ray diffraction, secondary ion mass spectroscopy, several photoluminescence methods, and the use of active devices for materials evaluation is shown in detail. Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 4-5 viikossa | Tilaa jouluksi viimeistään 27.11.2024
Myymäläsaatavuus
Näytä kaikki tuotetiedotISBN: 9783642781292 Aihealue: |
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisäänRekisteröityminen |
Oma tili
Omat tiedotOmat tilaukset Omat laskut |
Lisätietoja
AsiakaspalveluTietoa verkkokaupasta Toimitusehdot Tietosuojaseloste |