SULJE VALIKKO

avaa valikko

Characterization of Terahertz Emission from High Resistivity Fe-doped Bulk Ga0.69In0.31As Based Photoconducting Antennas
97,90 €
Springer
Sivumäärä: 78 sivua
Asu: Pehmeäkantinen kirja
Painos: 2011
Julkaisuvuosi: 2013, 19.04.2013 (lisätietoa)
Kieli: Englanti

Terahertz science and technology is attracting great interest due to its application in a wide array of fields made possible by the development of new and improved terahertz radiation sources and detectors. This book focuses on the development and characterization of one such source - namely the semi-large aperture photoconducting (PC) antenna fabricated on Fe-doped bulk Ga0.69In0.31As substrate. The high ultrafast carrier mobility, high resistivity, and subpicosecond carrier lifetime along with low bandgap make Ga0.69In0.31As an excellent candidate for PC antenna based THz emitter that can be photoexcited by compact Yb-based multiwatt laser systems for high power THz emission. The research is aimed at evaluating the impact of physical properties of a semi-large aperture Ga0.69In0.31As PC antenna upon its THz generation efficiency, and is motivated by the ultimate goal of developing a high-power terahertz radiation source for time-domain terahertz spectroscopy and imaging systems.



Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 16-19 arkipäivässä
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Characterization of Terahertz Emission from High Resistivity Fe-doped Bulk Ga0.69In0.31As Based Photoconducting Antennas
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9781461428275
Tuotesarja:
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste