SULJE VALIKKO

avaa valikko

Ferroelectric Random Access Memories - Fundamentals and Applications
258,60 €
Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG
Sivumäärä: 291 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Painos: 2004
Julkaisuvuosi: 2004, 16.04.2004 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
In fabrication of FeRAMs, various academic and technological backgrounds are necessary, which include ferroelectric materials, thin film formation, device physics, circuit design, and so on. This book covers from fundamentals to applications of ferroelectric random access memories (FeRAMs). The book consists of 5 parts: (1) ferroelectric thin films, (2) deposition and characterization methods, (3) fabrication process and circuit design, (4) advanced-type memories, and (5) applications and future prospects; each part is further divided into several chapters. Because of the wide range of topics discussed, each chapter in this book was written by one of the best authors knowing the specific topic very well. Thus, this is a good introductory book on FeRAM for graduate students and newcomers to this field; it also helps specialists to understand FeRAMs more deeply.

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 17-20 arkipäivässä
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Ferroelectric Random Access Memories - Fundamentals and Applicationszoom
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9783540407188
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste