SULJE VALIKKO

avaa valikko

Masanori Okuyama | Akateeminen Kirjakauppa

Haullasi löytyi yhteensä 8 tuotetta
Haluatko tarkentaa hakukriteerejä?



Ferroelectric Thin Films - Basic Properties and Device Physics for Memory Applications
Masanori Okuyama; Yoshihiro Ishibashi
Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG (2005)
Kovakantinen kirja
172,80
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Ferroelectric Thin Films : Basic Properties and Device Physics for Memory Applications
Masanori Okuyama (ed.); Yoshihiro Ishibashi (ed.)
Springer (2010)
Pehmeäkantinen kirja
172,80
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Ferroelectric Random Access Memories - Fundamentals and Applications
Hiroshi Ishiwara; Masanori Okuyama; Yoshihiro Arimoto
Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG (2004)
Kovakantinen kirja
258,60
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Ferroelectric Random Access Memories : Fundamentals and Applications
Hiroshi Ishiwara (ed.); Masanori Okuyama (ed.); Yoshihiro Arimoto (ed.)
Springer (2010)
Pehmeäkantinen kirja
258,60
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories - Device Physics and Applications
Byung-Eun Park; Hiroshi Ishiwara; Masanori Okuyama; Shigeki Sakai; Sung-Min Yoon
Springer (2016)
Kovakantinen kirja
147,70
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories - Device Physics and Applications
Byung-Eun Park; Hiroshi Ishiwara; Masanori Okuyama; Shigeki Sakai; Sung-Min Yoon
Springer (2018)
Pehmeäkantinen kirja
112,40
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories : Device Physics and Applications
Byung-Eun Park (ed.); Hiroshi Ishiwara (ed.); Masanori Okuyama (ed.); Shigeki Sakai (ed.); Sung-Min Yoon (ed.)
Springer (2020)
Kovakantinen kirja
129,90
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories : Device Physics and Applications
Byung-Eun Park (ed.); Hiroshi Ishiwara (ed.); Masanori Okuyama (ed.); Shigeki Sakai (ed.); Sung-Min Yoon (ed.)
Springer (2021)
Pehmeäkantinen kirja
129,90
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Ferroelectric Thin Films - Basic Properties and Device Physics for Memory Applications
172,80 €
Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG
Sivumäärä: 244 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Painos: 2005
Julkaisuvuosi: 2005, 22.02.2005 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
Tuotesarja: Topics in Applied Physics 98
Ferroelectric thin films continue to attract much attention due to their developing applications in memory devices, FeRAM, infrared sensors, piezoelectric sensors and actuators. This book, aimed at students, researchers and developers, gives detailed information about the basic properties of these materials and the associated device physics. The contributing authors are acknowledged experts in the field.

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 3-4 viikossa | Tilaa jouluksi viimeistään 27.11.2024
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Ferroelectric Thin Films - Basic Properties and Device Physics for Memory Applicationszoom
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9783540241638
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste