SULJE VALIKKO

avaa valikko

Technology of Gallium Nitride Crystal Growth
172,80 €
Springer
Sivumäärä: 326 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Painos: 2010
Julkaisuvuosi: 2010, 24.06.2010 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
Tuotesarja: Springer Series in Materials Science 133
Semiconductor materials have been studied intensively since the birth of silicon technology more than 50 years ago. The ability to physically and chemically t- lor their properties with precision is the key factor responsible for the electronic revolution in our society over the past few decades. Semiconductor material s- tems (like silicon and GaAs-related materials) have now matured and found well established applications in electronics, optoelectronics, and several other ?elds. Other materials such as III-Nitrides were developed later, in response to needs that the above mentioned semiconductors were unable to ful?ll. The properties of I- nitrides (AlN, GaN InN, and related alloy systems) make them an excellent choice for ef?cient light emitters in the visible as well as the UV region, UV detectors, and for a variety of electronic device such as high frequency unipolar power devices. There was a major upsurgein the research of the GaN material system around1970.

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 4-5 viikossa | Tilaa jouluksi viimeistään 27.11.2024
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Technology of Gallium Nitride Crystal Growthzoom
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9783642048289
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste