SULJE VALIKKO

Englanninkielisten kirjojen poikkeusaikata... LUE LISÄÄ

avaa valikko

Metal Impurities in Silicon- and Germanium-Based Technologies : Origin, Characterization, Control, and Device Impact
152,40 €
Springer
Sivumäärä: 438 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2018, 22.08.2018 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
Tuotesarja: Springer Series in Materials Science 270
This book provides a unique review of various aspects of metallic contamination in Si and Ge-based semiconductors. It discusses all of the important metals including their origin during crystal and/or device manufacturing, their fundamental properties, their characterization techniques and their impact on electrical devices’ performance. Several control and possible gettering approaches are addressed.
 
The book offers a valuable reference guide for all researchers and engineers studying advanced and state-of-the-art micro- and nano-electronic semiconductor devices and circuits. Adopting an interdisciplinary approach, it combines perspectives from e.g. material science, defect engineering, device processing, defect and device characterization, and device physics and engineering.



Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 4-5 viikossa
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Metal Impurities in Silicon- and Germanium-Based Technologies : Origin, Characterization, Control, and Device Impactzoom
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste