SULJE VALIKKO

Englanninkielisten kirjojen poikkeusaikata... LUE LISÄÄ

avaa valikko

Reliability studies of GaN High Electron Mobility Transistors
83,30 €
Fraunhofer Verlag
Sivumäärä: 172 sivua
Asu: Pehmeäkantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2015, 29.06.2015 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
Tuotesarja: Science for Systems 22
Tuotteella ei tuotekuvausta.

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tuotteella on huono saatavuus ja tuote toimitetaan hankintapalvelumme kautta. Tilaamalla tämän tuotteen hyväksyt palvelun aloittamisen. Seuraa saatavuutta.
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Reliability studies of GaN High Electron Mobility Transistorszoom
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9783839608975
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste