Markus Cäsar | Akateeminen Kirjakauppa

RELIABILITY STUDIES OF GAN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS

Markus Cäsar
Fraunhofer Verlag (2015)
Pehmeäkantinen kirja

85,60 €

Reliability studies of GaN High Electron Mobility Transistors

Markus Cäsar

85,60 €

Fraunhofer Verlag
Sivumäärä: 172 sivua
Asu: Pehmeäkantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2015, 29.06.2015 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
Tuotesarja: Science for Systems 22

Tuotteella ei tuotekuvausta.

LISÄÄ OSTOSKORIIN

Tuotteella on huono saatavuus ja tuote toimitetaan hankintapalvelumme kautta. Tilaamalla tämän tuotteen hyväksyt palvelun aloittamisen. Seuraa saatavuutta.

Myymäläsaatavuus