SULJE VALIKKO

avaa valikko

Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions
172,80 €
Springer-Verlag New York Inc.
Sivumäärä: 351 sivua
Asu: Pehmeäkantinen kirja
Painos: Softcover reprint of
Julkaisuvuosi: 2002, 30.04.2002 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
Tuotesarja: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry 58
A review of the electrical properties, performance and physical mechanisms of the main silicon-on-insulator (SOI) materials and devices. Particular attention is paid to the reliability of SOI structures operating in harsh conditions. The first part of the book deals with material technology and describes the SIMOX and ELTRAN technologies, the smart-cut technique, SiCOI structures and MBE growth. The second part covers reliability of devices operating under extreme conditions, with an examination of low and high temperature operation of deep submicron MOSFETs and novel SOI technologies and circuits, SOI in harsh environments and the properties of the buried oxide. The third part deals with the characterization of advanced SOI materials and devices, covering laser-recrystallized SOI layers, ultrashort SOI MOSFETs and nanostructures, gated diodes and SOI devices produced by a variety of techniques. The last part reviews future prospects for SOI structures, analyzing wafer bonding techniques, applications of oxidized porous silicon, semi-insulating silicon materials, self-organization of silicon dots and wires on SOI and some new physical phenomena.

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 4-5 viikossa | Tilaa jouluksi viimeistään 27.11.2024
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditionszoom
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9781402005763
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste