SULJE VALIKKO

avaa valikko

Yoshihiro Ishibashi (ed.) | Akateeminen Kirjakauppa

FERROELECTRIC THIN FILMS : BASIC PROPERTIES AND DEVICE PHYSICS FOR MEMORY APPLICATIONS

Ferroelectric Thin Films : Basic Properties and Device Physics for Memory Applications
Masanori Okuyama (ed.); Yoshihiro Ishibashi (ed.)
Springer (2010)
Saatavuus: Tilaustuote
Pehmeäkantinen kirja
172,80
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Ferroelectric Thin Films : Basic Properties and Device Physics for Memory Applications
172,80 €
Springer
Sivumäärä: 244 sivua
Asu: Pehmeäkantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2010, 19.10.2010 (lisätietoa)
Kieli: Englanti

Ferroelectric thin films continue to attract much attention due to their developing applications in memory devices, FeRAM, infrared sensors, piezoelectric sensors and actuators. This book, aimed at students, researchers and developers, gives detailed information about the basic properties of these materials and the associated device physics. The contributing authors are acknowledged experts in the field.



Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 17-20 arkipäivässä
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Ferroelectric Thin Films : Basic Properties and Device Physics for Memory Applications
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9783642063305
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste