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Hermann Tertsch | Akateeminen Kirjakauppa

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Einführung in die geometrische und physikalische Kristallographie: und in deren Arbeitsmethoden
Franz Raaz; Hermann Tertsch
Springer (1958)
Kovakantinen kirja
52,30
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Siirry koriin
Días de IRA (Narración En Castellano): Una Reflexión Que Clama a Las Conciencias Ante Una España En Alarma
Hermann Tertsch Valle-Lersundi
Brilliance Audio (2019)
Digitaalinen tallenne, määrittelemätön
66,90
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Die Festigkeitserscheinungen der Kristalle
Hermann Tertsch
Springer (1949)
Pehmeäkantinen kirja
51,00
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DIAS DE IRA
HERMANN TERTSCH
ESFERA DE LOS LIBROS (2015)
Pehmeäkantinen kirja
23,30
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Einführung in die geometrische und physikalische Kristallographie : und in deren Arbeitsmethoden
Franz Raaz; Hermann Tertsch
Springer (2012)
Pehmeäkantinen kirja
51,00
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Siirry koriin
Einführung in die geometrische und physikalische Kristallographie: und in deren Arbeitsmethoden
52,30 €
Springer
Sivumäärä: 367 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Painos: 3., wesentl. erw. Au
Julkaisuvuosi: 1958, 01.01.1958 (lisätietoa)
Kieli: Saksa
LaBt man nun ein Chromalaunoktaeder in einer Losung von Alu­ miniumalaun weiterwachsen, so kann man den Ansatz paralleler Schichten vor Augen fiihren: ein Kern von violettem Chromalaun ist dann nach Beendigung des Versuches von einer parallel gelagerten Schicht von farblo­ sem Aluminiumalaun umgeben. Frei­ lich handelt es sich in diesem FaIle schon urn zwei verschiedene Kristall­ arten, die nur insofern als gleichartig aufgefaBt werden konnen, als sie so­ wohl nach ihrer chemischen Konstitu­ tion als auch in bezug auf ihre Kristall­ 1 form als analog zu betrachten sind . Die Abb. 1 bis 3 geben Beispiele sol­ chen Schichtenwachstums; Abb. 2 zeigt das Entstehen einer sog. "Sanduhrstr- tur", Abb. 3 stellt iihnliche Anwachs- Abb.3.AnwachspyramidenanKa- pyramiden bei Calcitkristallen dar. spatkristallen von Rabenstein Aus dies en Beobachtungen ist zu schlieRen, daB sich in gewissen Zeitabstanden auf jede Kristallflache eine parallele Schicht neuer Kristallsubstanz anlagert. Betrachten wir nun einen Kristall etwas naher, der von verschieden­ artigen Flachen begrenzt ist. Dann erkennen wir die beachtenswerte Tat­ sache, daB die auf verschiedenartigen Flachen, Fa, F , F , angelagerten b c Schichten ungleich dick sind (Abb. 4). Hier ha­ ben wir schon die eingangs erwiihnte Richtungs­ abhiingigkeit! Geometrisch konnen wir diesen physikali­ schen Vorgang des Wachstums am einfachsten vektoriell erfassen.

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Einführung in die geometrische und physikalische Kristallographie: und in deren Arbeitsmethoden
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ISBN:
9783211804933
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