SULJE VALIKKO

avaa valikko

D.A. Antoniadis | Akateeminen Kirjakauppa

Haullasi löytyi yhteensä 2 tuotetta
Haluatko tarkentaa hakukriteerejä?



Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits
P. Antognetti; D.A. Antoniadis; Robert W. Dutton; W.G. Oldham
Springer (2011)
Pehmeäkantinen kirja
49,60
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits
P. Antognetti; D.A. Antoniadis; Robert W. Dutton; W.G. Oldham
Springer (1983)
Kovakantinen kirja
78,50
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits
49,60 €
Springer
Sivumäärä: 636 sivua
Asu: Pehmeäkantinen kirja
Painos: Softcover reprint of
Julkaisuvuosi: 2011, 09.10.2011 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
Tuotesarja: NATO Science Series E: 62
P. Antognetti University of Genova, Italy Director of the NATO ASI The key importance of VLSI circuits is shown by the national efforts in this field taking place in several countries at differ­ ent levels (government agencies, private industries, defense de­ partments). As a result of the evolution of IC technology over the past two decades, component complexi ty has increased from one single to over 400,000 transistor functions per chip. Low cost of such single chip systems is only possible by reducing design cost per function and avoiding cost penalties for design errors. Therefore, computer simulation tools, at all levels of the design process, have become an absolute necessity and a cornerstone in the VLSI era, particularly as experimental investigations are very time-consuming, often too expensive and sometimes not at all feasible. As minimum device dimensions shrink, the need to understand the fabrication process in a quanti tati ve way becomes critical. Fine patterns, thin oxide layers, polycristalline silicon interco~ nections, shallow junctions and threshold implants, each become more sensitive to process variations. Each of these technologies changes toward finer structures requires increased understanding of the process physics. In addition, the tighter requirements for process control make it imperative that sensitivities be unde~ stood and that optimation be used to minimize the effect of sta­ tistical fluctuations.

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 3-4 viikossa | Tilaa jouluksi viimeistään 27.11.2024
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9789400968448
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste