SULJE VALIKKO

avaa valikko

Ching-Hua Su | Akateeminen Kirjakauppa

Haullasi löytyi yhteensä 4 tuotetta
Haluatko tarkentaa hakukriteerejä?



Vapor Crystal Growth and Characterization : ZnSe and Related II–VI Compound Semiconductors
Ching-Hua Su
Springer (2020)
Kovakantinen kirja
97,90
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Physics and Chemistry of Te and HgTe-based Ternary Semiconductor Melts
Ching-Hua Su
Springer (2021)
Kovakantinen kirja
129,90
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Vapor Crystal Growth and Characterization : ZnSe and Related II–VI Compound Semiconductors
Ching-Hua Su
Springer (2021)
Pehmeäkantinen kirja
97,90
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Physics and Chemistry of Te and HgTe-based Ternary Semiconductor Melts
Ching-Hua Su
Springer (2022)
Pehmeäkantinen kirja
129,90
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Vapor Crystal Growth and Characterization : ZnSe and Related II–VI Compound Semiconductors
97,90 €
Springer
Sivumäärä: 215 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2020, 15.01.2020 (lisätietoa)
Kieli: Englanti

The book describes developments in the crystal growth of bulk II-VI semiconductor materials. A fundamental, systematic, and in-depth study of the physical vapor transport (PVT) growth process is the key to producing high-quality single crystals of semiconductors. As such, the book offers a comprehensive overview of the extensive studies on ZnSe and related II-VI wide bandgap compound semiconductors, such as CdS, CdTe, ZnTe, ZnSeTe and ZnSeS. Further, it shows the detailed steps for the growth of bulk crystals enabling optical devices which can operate in the visible spectrum for applications such as blue light emitting diodes, lasers for optical displays and in the mid-IR wavelength range, high density recording, and military communications.


The book then discusses the advantages of crystallization from vapor compared to the conventional melt growth: lower processing temperatures, the purification process associated with PVT, and the improved surface morphology of the grown crystals, as well as the necessary drawbacks to the PVT process, such as the low and inconsistent growth rates and the low yield of single crystals. By presenting in-situ measurements of transport rate, partial pressures and interferometry, as well as visual observations, the book provides detailed insights into in the kinetics during the PVT process.


This book is intended for graduate students and professionals in materials science as well as engineers preparing and developing optical devices with semiconductors.



Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 4-5 viikossa | Tilaa jouluksi viimeistään 27.11.2024
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Vapor Crystal Growth and Characterization : ZnSe and Related II–VI Compound Semiconductorszoom
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9783030396541
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste