SULJE VALIKKO

avaa valikko

GaN and Related Alloys - 2000: Volume 639
38,10 €
Materials Research Society
Sivumäärä: 967 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2001, 04.09.2001 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
This year's nitride proceedings provides an integrated view of advances in both the basic sciences and the technology of group-III nitride electronic and optoelectronic devices. The devices discussed include high-frequency, high-power, and high-temperature devices as well as light-emitting diodes, laser diodes, and UV photodetectors. Challenges and goals for the advancement of this field include the further optimization and stabilization of growth processes, and growth of GaInN, AlGaN, AlInN, and quaternary layers. The book captures the most exciting developments of this field, and should prove useful for both researchers and students of this novel science and technology. Topics include: advances in growth; advanced alloys and characterization; growth and characterization; dopants and processing; lateral epitaxy and growth; optical properties and light emitters; electronic transport and quantum dots; characterization and bandstructure; quantum dots and photo detectors; electronic properties and transport; light emitters and strain control and light emitters and electronic devices.

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 1-3 viikossa. | Tilaa jouluksi viimeistään 27.11.2024. Tuote ei välttämättä ehdi jouluksi.
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
GaN and Related Alloys - 2000: Volume 639
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9781558995499
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste