SULJE VALIKKO

avaa valikko

GaN, AIN, InN and their Alloys: Volume 831
37,30 €
Materials Research Society
Sivumäärä: 784 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2005, 01.07.2005 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
This book discusses GaN and Related Alloys and reflects an emerging emphasis on the binaries of InN and AlN. The major thrust here is the topical development of thin-film growth, bulk growth techniques, methods to cover the full ternary and quaternary alloy ranges toward InN and AlN and their characterization; strategies for structural defect reduction and their characterization; ways to better control p-type doping and its characterization; device and defect physics, including polarization effects; physics of surfaces and interfaces; and device processing techniques. In addition, advances in MBE devices, high-power electronics, RF performance of electronics, UV emitters, high-efficiency light emitters, photo and chemical sensors, as well as new applications within the group-III nitrides, are also covered. The book captures the current status of this field and will be useful for researchers working with group-III nitrides, as well as for students who seek entry into this subject.

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 1-3 viikossa. | Tilaa jouluksi viimeistään 27.11.2024. Tuote ei välttämättä ehdi jouluksi.
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
GaN, AIN, InN and their Alloys: Volume 831
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9781558997790
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste