SULJE VALIKKO

avaa valikko

MOS Interface Physics, Process and Characterization
116,70 €
Taylor & Francis Ltd
Sivumäärä: 162 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2021, 12.10.2021 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
The electronic device based on Metal Oxide Semiconductor (MOS) structure is the most important component of a large-scale integrated circuit, and is therefore a fundamental building block of the information society. Indeed, high quality MOS structure is the key to achieving high performance devices and integrated circuits. Meanwhile, the control of interface physics, process and characterization methods determine the quality of MOS structure.

This book tries to answer five key questions: Why are high-performance integrated circuits bonded together so closely with MOS structure? Which physical phenomena occur in MOS structure? How do these phenomena affect the performance of MOS structure? How can we observe and quantify these phenomena scientifically? How to control the above phenomena through process? Principles are explained based on common experimental phenomena, from sensibility to rationality, via abundant experimental examples focusing on MOS structure, including specific experimental steps with a strong level of operability.

This book will be an essential reference for engineers in semiconductor related fields and academics and postgraduates within the field of microelectronics.

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 1-3 viikossa. | Tilaa jouluksi viimeistään 27.11.2024. Tuote ei välttämättä ehdi jouluksi.
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
MOS Interface Physics, Process and Characterizationzoom
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9781032106274
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste