SULJE VALIKKO

avaa valikko

Defects and Diffusion in Silicon Processing: Volume 469
30,50 €
Materials Research Society
Sivumäärä: 541 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Julkaisuvuosi: 1997, 21.11.1997 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
A strong effort is has been devoted to the investigation of defects and diffusion phenomena in silicon. This effort is not only driven by the stringent technological requirements for the processing of integrated circuits of increased complexity and miniaturization, but also by the lack of fundamental understanding of many of the critical parameters and mechanisms involved. Experimental and theoretical investigations are needed to identify the properties of the defects, the mechanisms of impurity diffusion and the strength of impurity-defect, defect-defect, and impurity-impurity interactions. This book provides a unique and interdisciplinary forum for the discussion of experimental, theoretical and applied aspects of defects and diffusion phenomena in silicon. Topics include: defect properties and diffusion phenomena in silicon; experimental and theoretical assessments of defect properties; transient-enhanced diffusion and dopant clustering; damage evolution and extended defects and gettering procedures.

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 1-3 viikossa. | Tilaa jouluksi viimeistään 27.11.2024. Tuote ei välttämättä ehdi jouluksi.
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Defects and Diffusion in Silicon Processing: Volume 469
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9781558993730
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste