SULJE VALIKKO

avaa valikko

Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies
68,70 €
Taylor & Francis Ltd
Sivumäärä: 444 sivua
Asu: Pehmeäkantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2020, 18.12.2020 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
This book focusses on III-V high electron mobility transistors (HEMTs) including basic physics, material used, fabrications details, modeling, simulation, and other important aspects. It initiates by describing principle of operation, material systems and material technologies followed by description of the structure, I-V characteristics, modeling of DC and RF parameters of AlGaN/GaN HEMTs. The book also provides information about source/drain engineering, gate engineering and channel engineering techniques used to improve the DC-RF and breakdown performance of HEMTs. Finally, the book also highlights the importance of metal oxide semiconductor high electron mobility transistors (MOS-HEMT).

Key Features










Combines III-As/P/N HEMTs with reliability and current status in single volume







Includes AC/DC modelling and (sub)millimeter wave devices with reliability analysis







Covers all theoretical and experimental aspects of HEMTs







Discusses AlGaN/GaN transistors







Presents DC, RF and breakdown characteristics of HEMTs on various material systems using graphs and plots

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 1-3 viikossa. | Tilaa jouluksi viimeistään 27.11.2024. Tuote ei välttämättä ehdi jouluksi.
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologieszoom
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9780367729240
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste