SULJE VALIKKO

avaa valikko

Dopants and Defects in Semiconductors
88,10 €
Taylor & Francis Inc
Sivumäärä: 390 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Painos: 1
Julkaisuvuosi: 2012, 19.03.2012 (lisätietoa)
Dopants and Defects in Semiconductors covers the theory, experimentation, and identification of impurities, dopants, and intrinsic defects in semiconductors. The book fills a crucial gap between solid-state physics and more specialized course texts.





The authors first present introductory concepts, including basic semiconductor theory, defect classifications, crystal growth, and doping. They then explain electrical, vibrational, optical, and thermal properties. Moving on to characterization approaches, the text concludes with chapters on the measurement of electrical properties, optical spectroscopy, particle-beam methods, and microscopy.





By treating dopants and defects in semiconductors as a unified subject, this book helps define the field and prepares students for work in technologically important areas. It provides students with a solid foundation in both experimental methods and the theory of defects in semiconductors.

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 3-4 viikossa | Tilaa jouluksi viimeistään 27.11.2024
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Dopants and Defects in Semiconductorszoom
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9781439831526
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste