KIRJAUDU
Englanninkielisten kirjojen poikkeusaikata... LUE LISÄÄ
Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
189,70 €
John Wiley & Sons Inc
Sivumäärä: 648 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2003, 05.09.2003 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
Sivumäärä: 648 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2003, 05.09.2003 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
A comprehensive and "state-of-the-art" coverage of the design and fabrication of IGBT.
All-in-one resource
Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics.
Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.
All-in-one resource
Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics.
Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 3-4 viikossa
Myymäläsaatavuus
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9780471238454
Aihealue:
|
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisäänRekisteröityminen |
Oma tili
Omat tiedotOmat tilaukset Omat laskut |
Lisätietoja
AsiakaspalveluTietoa verkkokaupasta Toimitusehdot Tietosuojaseloste |