SULJE VALIKKO

Englanninkielisten kirjojen poikkeusaikata... LUE LISÄÄ

avaa valikko

Iii-nitride Devices And Nanoengineering
207,50 €
Imperial College Press
Sivumäärä: 476 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2008, 29.08.2008 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
Devices, nanoscale science and technologies based on GaN and related materials, have achieved great developments in recent years. New GaN-based devices such as UV detectors, fast p-HEMT and microwave devices are developed far more superior than other semiconductor materials-based devices.Written by renowned experts, the review chapters in this book cover the most important topics and achievements in recent years, discuss progress made by different groups, and suggest future directions. Each chapter also describes the basis of theory and experiment.This book is an invaluable resource for device design and processing engineers, material growers and evaluators, postgraduates and scientists as well as newcomers in the GaN field.

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 3-4 viikossa
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Iii-nitride Devices And Nanoengineeringzoom
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9781848162235
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste