SULJE VALIKKO

avaa valikko

GaP Heteroepitaxy on Si(100) - Benchmarking Surface Signals when Growing GaP on Si in CVD Ambients
97,90 €
Springer International Publishing AG
Sivumäärä: 143 sivua
Asu: Pehmeäkantinen kirja
Painos: Softcover reprint of
Julkaisuvuosi: 2016, 03.09.2016 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
Tuotesarja: Springer Theses
Epitaxial integration of III-V semiconductors on silicon substrates has been desired over decades for high application potential in microelectronics, photovoltaics, and beyond. The performance of optoelectronic devices is still severely impaired by critical defect mechanisms driven by the crucial polar-on-nonpolar heterointerface. This thesis reports almost lattice-matched growth of thin gallium phosphide films as a viable model system for III-V/Si(100) interface investigations. The impact of antiphase disorder on the heteroepitaxial growth surface provides quantitative optical in situ access to one of the most notorious defect mechanisms, even in the vapor phase ambient common for compound semiconductor technology. Precise control over the surface structure of the Si(100) substrates prior to III-V nucleation prevents the formation of antiphase domains. The hydrogen-based process ambient enables the preparation of anomalous double-layer step structures on Si(100), highly beneficial for subsequent III-V integration.

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 4-5 viikossa | Tilaa jouluksi viimeistään 27.11.2024
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
GaP Heteroepitaxy on Si(100) - Benchmarking Surface Signals when Growing GaP on Si in CVD Ambientszoom
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9783319379555
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste