Jing Liu; Cesare Alippi; Bernadette Bouchon-Meunier; Garrison W. Greenwood; Hussein A. Abbass Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG (2012) Pehmeäkantinen kirja
Pang Chuan; Vasil Khachidze; Ivan K.W. Lai; Yide Liu; Sohail Siddiqui; Tim Wang Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG (2014) Kovakantinen kirja
Philip L-f Liu; Maarten W Dingemans; Ashwini Kumar Otta; Vijay Panchang; Zeki Demirbilek; Inigo J Losada; Harry H Yeh World Scientific Publishing Co Pte Ltd (2001) Kovakantinen kirja
Wiley-Blackwell Sivumäärä: 600 sivua Asu: Kovakantinen kirja Julkaisuvuosi: 2001, 23.01.2001 (lisätietoa) Kieli: Englanti
Beim integrierten Schaltkreisdesign spielt die Schaltkreissimulation eine wesentliche Rolle, wobei deren Genauigkeit von der Genauigkeit des verwendeten Transistormodells abhängig ist. BSIM3 (BSIM steht für Berkley Short-channel IGFET Model) wurde als erstes MOSFET Modell zur Standardisierung ausgewählt. Es wird erwartet, daß in den kommenden Jahren viele Halbleiterunternehmen zu BSIM3 wechseln. Dieses Buch erläutert die technischen Einzelheiten von BSIM 3, warum sich die meisten Unternehmen für dieses Modell entscheiden und wo es eingesetzt werden kann. Eines der fünf Kapitel widmet sich BSIM4, dem Nachfolgemodell von BSIM3.