SULJE VALIKKO

avaa valikko

Subhasis Haldar | Akateeminen Kirjakauppa

MOSFET/MESFET/HEMT DEVICE PHYSICS & MODELING FOR VLSI ENGINEERING

MOSFET/MESFET/HEMT Device Physics & Modeling for VLSI Engineering
R. S. Gupta; Subhasis Haldar; Mridula Gupta; Manoj Saxena
Wiley-Blackwell (2005)
Kovakantinen kirja
104,10
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
MOSFET/MESFET/HEMT Device Physics & Modeling for VLSI Engineering
104,10 €
Wiley-Blackwell
Sivumäärä: 640 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2005, 18.11.2005 (lisätietoa)
MOSFET/MESFET/HEMT Device Physic and Modeling for VLSI Engineering describe analytical modeling of microelectronic devices. In particular it discusses the importance of the transistors, MOSFET, MESFET, and HEMT and how these devices differ from each other in the mobility of charge carriers and other properties. Since device modeling is an important analytical tool in design and research, this book will be useful to practicing engineers, researchers and students. In addition, the detailed analysis and models will be applicable to the computer aided design of microelectronic devices.

Loppuunmyyty
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
MOSFET/MESFET/HEMT Device Physics & Modeling for VLSI Engineering
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9780471716419
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste