SULJE VALIKKO

avaa valikko

Koichiro Ishibashi | Akateeminen Kirjakauppa

Haullasi löytyi yhteensä 2 tuotetta
Haluatko tarkentaa hakukriteerejä?



Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design
Koichiro Ishibashi; Kenichi Osada
Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG (2011)
Kovakantinen kirja
97,90
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design
Koichiro Ishibashi; Kenichi Osada
Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG (2013)
Pehmeäkantinen kirja
97,90
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design
97,90 €
Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG
Sivumäärä: 144 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Painos: 2011 ed.
Julkaisuvuosi: 2011, 18.08.2011 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
Tuotesarja: Springer Series in Advanced Microelectronics 31
Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. This book addresses various issues for designing SRAM memory cells for advanced CMOS technology. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 4-5 viikossa | Tilaa jouluksi viimeistään 27.11.2024
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Designzoom
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9783642195679
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste