SULJE VALIKKO

avaa valikko

Hiroshi Amano | Akateeminen Kirjakauppa

Haullasi löytyi yhteensä 8 tuotetta
Haluatko tarkentaa hakukriteerejä?



GaN and Related Alloys - 1999: Volume 595
Thomas H. Myers; Randall M. Feenstra; Michael S. Shur; Hiroshi Amano
Materials Research Society (2000)
Kovakantinen kirja
38,10
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Applications
Tae-Yeon Seong; Jung Han; Hiroshi Amano; Hadis Morkoc
Springer (2013)
Kovakantinen kirja
97,90
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
GaN and Related Alloys – 1999: Volume 595
Thomas H. Myers; Randall M. Feenstra; Michael S. Shur; Hiroshi Amano
Cambridge University Press (2014)
Pehmeäkantinen kirja
33,30
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Applications
Tae-Yeon Seong; Jung Han; Hiroshi Amano; Hadis Morkoc
Springer (2013)
Pehmeäkantinen kirja
127,10
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Physics and Simulation of Optoelectronic Devices: XI
Marek Osinski; Hiroshi Amano; Peter Blood
SPIE Press (2003)
Pehmeäkantinen kirja
279,80
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XIII
Marek Osinski; Fritz Henneberger; Hiroshi Amano
SPIE Press (2005)
Pehmeäkantinen kirja
198,60
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Applications
Tae-Yeon Seong; Jung Han; Hiroshi Amano; Hadis Morkoç
Springer Verlag, Singapore (2017)
Kovakantinen kirja
198,50
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Applications
Tae-Yeon Seong; Jung Han; Hiroshi Amano; Hadis Morkoç
Springer Verlag, Singapore (2018)
Pehmeäkantinen kirja
198,50
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
GaN and Related Alloys - 1999: Volume 595
38,10 €
Materials Research Society
Sivumäärä: 1040 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2000, 05.05.2000 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
This book on gallium nitride (GaN) and associated materials focuses on advances in basic science, as well as the rapidly maturing technologies involving blue/green light emitters, detectors and high-power electronics. A highlight is a report on wide-bandgap semiconductor research done in Europe. Also reported is the commercialization of a laser operating at 405nm wavelength with a 4000-hour device lifetime. At 450nm emission wavelength, significant reductions in lifetime were found, and are believed to arise from nonideal properties of the InGaN alloy used in the active layer of the device. Additional topics include: the significant success of transistors for microwave applications; improvements in the epitaxy of GaN, using both selective area growth techniques (lateral epitaxy overgrowth) and introducing low-temperature intralayers in the films; advances in both molecular beam epitaxy and metal-organic vapor phase epitaxy, including several studies of quantum dot formation in strained alloys and improvements in hydride vapor phase epitaxy, particularly for providing very thick films.

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 3-4 viikossa | Tilaa jouluksi viimeistään 27.11.2024
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
GaN and Related Alloys - 1999: Volume 595
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9781558995031
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste