SULJE VALIKKO

avaa valikko

G. Lucovsky | Akateeminen Kirjakauppa

Haullasi löytyi yhteensä 3 tuotetta
Haluatko tarkentaa hakukriteerejä?



Ultrathin SiO2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics: Volume 567
H. R. Huff; C. A. Richter; M. L. Green; G. Lucovsky; T. Hattori
Materials Research Society (1999)
Kovakantinen kirja
37,10
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II - Electronic and Vibrational Properties
J.D. Joannopoulos; G. Lucovsky
Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG (2014)
Pehmeäkantinen kirja
49,60
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon I : Structure, Preparation, and Devices
J.D. Joannopoulos (ed.); G. Lucovsky (ed.)
Springer (2014)
Pehmeäkantinen kirja
49,60
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Ultrathin SiO2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics: Volume 567
37,10 €
Materials Research Society
Sivumäärä: 615 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Julkaisuvuosi: 1999, 01.09.1999 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
Device scaling has been the engine driving the continued pervasiveness of the microelectronics revolution. The SIA roadmap calls for 4-5nm films (oxide equivalent thickness) in 2000, and <1.5nm within 10 years. While it is obvious that SiO2 and oxynitride dielectrics will be with us for the near future, their processing and performance will face severe challenges. Alternate gate dielectric materials with higher dielectric constants are also being developed. They will be introduced as SiO2 performance diminishes. This book highlights the advanced processing of ultrathin SiO2, oxynitrides, composite oxide/nitrides, and nitrides, as well as work on high-K gate dielectrics. Topics include: advances in ultrathin oxides and oxynitrides; silicon nitride; silicon oxynitrides and nitrides - alternative processes for growing SiO2; atomic-scale control of the dielectric/silicon interface; electrical properties of ultrathin gate dielectrics; reliability of ultrathin gate dielectrics; high-K gate dielectrics; high-K gate dielectrics - alternative processes; characterization of gate dielectrics and integrated processing.

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 3-4 viikossa | Tilaa jouluksi viimeistään 27.11.2024
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Ultrathin SiO2 and High-K Materials for ULSI Gate Dielectrics: Volume 567
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9781558994744
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste