SULJE VALIKKO

avaa valikko

Dinh Van Tuan | Akateeminen Kirjakauppa

Haullasi löytyi yhteensä 4 tuotetta
Haluatko tarkentaa hakukriteerejä?



Charge and Spin Transport in Disordered Graphene-Based Materials
Dinh Van Tuan
Springer International Publishing AG (2015)
Kovakantinen kirja
51,40
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Charge and Spin Transport in Disordered Graphene-Based Materials
Dinh Van Tuan
Springer International Publishing AG (2016)
Pehmeäkantinen kirja
51,40
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
A Panorama of Mathematics - Pure and Applied
Carlos M. Da Fonseca; Dinh Van Huynh; Steve Kirkland; Vu Kim Tuan
MP-AMM American Mathematical (2016)
Pehmeäkantinen kirja
126,60
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Industrial Networks and Intelligent Systems - 5th EAI International Conference, INISCOM 2019, Ho Chi Minh City, Vietnam, August
Trung Quang Duong; Nguyen-Son Vo; Loi K. Nguyen; Quoc-Tuan Vien; Van-Dinh Nguyen
Springer Nature Switzerland AG (2019)
Pehmeäkantinen kirja
51,40
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Charge and Spin Transport in Disordered Graphene-Based Materials
51,40 €
Springer International Publishing AG
Sivumäärä: 153 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Painos: 1st ed. 2016
Julkaisuvuosi: 2015, 04.11.2015 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
Tuotesarja: Springer Theses
This thesis presents an in-depth theoretical analysis of charge and spin transport properties in complex forms of disordered graphene. It relies on innovative real space computational methods of the time-dependent spreading of electronic wave packets. First a universal scaling law of the elastic mean free path versus the average grain size is predicted for polycrystalline morphologies, and charge mobilities of up to 300.000 cm2/V.s are determined for 1 micron grain size, while amorphous graphene membranes are shown to behave as Anderson insulators. An unprecedented spin relaxation mechanism, unique to graphene and driven by spin/pseudospin entanglement is then reported in the presence of weak spin-orbit interaction (gold ad-atom impurities) together with the prediction of a crossover from a quantum spin Hall Effect to spin Hall effect (for thallium ad-atoms), depending on the degree of surface ad-atom segregation and the resulting island diameter.

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 4-5 viikossa
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Charge and Spin Transport in Disordered Graphene-Based Materialszoom
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste