KIRJAUDU
Belaid Mohamed Ali | Akateeminen Kirjakauppa
FAILURE ANALYSIS OF HOT-ELECTRON EFFECT ON POWER RF N-LDMOS TRANSISTOR | ||
| Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor 85,70 € LAP Lambert Academic Publishing Sivumäärä: 76 sivua Asu: Pehmeäkantinen kirja Julkaisuvuosi: 2012, 29.07.2012 (lisätietoa) Kieli: Englanti Tuotteella ei tuotekuvausta. Tuotteella on huono saatavuus ja tuote toimitetaan hankintapalvelumme kautta. Tilaamalla tämän tuotteen hyväksyt palvelun aloittamisen. Seuraa saatavuutta.
Myymäläsaatavuus
 Näytä kaikki tuotetiedotISBN: 9783659200625 Aihealue: | |
|
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisäänRekisteröityminen |
Oma tili
Omat tiedotOmat tilaukset Omat laskut |
Lisätietoja
AsiakaspalveluTietoa verkkokaupasta Toimitusehdot Tietosuojaseloste |