SULJE VALIKKO

avaa valikko

B. L. Sopori | Akateeminen Kirjakauppa

Haullasi löytyi yhteensä 3 tuotetta
Haluatko tarkentaa hakukriteerejä?



Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III: Volume 719
Tekijä: S. Ashok; J. Chevallier; N. M. Johnsonn; B. L. Sopori; H. Okushi
Kustantaja: Materials Research Society (2002)
Saatavuus: | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 1-3 viikossa
EUR   36,40
Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices: Volume 378
Tekijä: I. Akasaki; S. Ashok; J. Chevallier; N. M. Johnson; B. L. Sopori
Kustantaja: Materials Research Society (1995)
Saatavuus: | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 1-3 viikossa
EUR   30,70
Defect and Impurity Engineered Semiconductors II: Volume 510
Tekijä: S. Ashok; J. Chevallier; K. Sumino; B. L. Sopori; W. Goetz
Kustantaja: Materials Research Society (1998)
Saatavuus: | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 1-3 viikossa
EUR   38,30
    
Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III: Volume 719
36,40 €
Materials Research Society
Sivumäärä: 493 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2002, 09.08.2002 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
This book focuses on the deliberate introduction and manipulation of defects and impurities in order to engineer desired properties in semiconductor materials and devices. In view of current exciting developments in wide-bandgap semiconductors like GaN for blue light emission, as well as high-speed and high-temperature electronics, dopant and defect issues relevant to these materials are addressed. Also featured are semiconductor nanocavities and nano-structures, with emphasis on the formation and impact of vacancy-type defects. Defect reaction problems pertaining to impurity gettering, precipitation and hydrogen passivation are specific examples of defect engineering that improve the electronic quality of the material. A number of papers also deal with characterization techniques needed to study and to identify defects in materials and device structures. Finally, papers also address issues such as interface control and passivation, application of ion implantation, plasma treatment and rapid thermal processing for creating/activating/suppressing trap levels, and device applications.

Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tilaustuote | Arvioimme, että tuote lähetetään meiltä noin 1-3 viikossa.
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III: Volume 719
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9781558996557
Sisäänkirjautuminen
Kirjaudu sisään
Rekisteröityminen
Oma tili
Omat tiedot
Omat tilaukset
Omat laskut
Lisätietoja
Asiakaspalvelu
Tietoa verkkokaupasta
Toimitusehdot
Tietosuojaseloste