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W.v. Münch | Akateeminen Kirjakauppa

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Technologie der Galliumarsenid-Bauelemente
Münch; W.v.
Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG (2012)
Pehmeäkantinen kirja
37,40
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Impurities and Defects in Group IV Elements and III-V Compounds / Störstellen und Defekte in Elementen der IV. Gruppe und III-V-
C.A.J. Ammerlaan; Max Schulz; W. Bergholz; B. Clerjaud; H. Ennen; H.G. Grimmeiss; B. Hamilton; U. Kaufmann; W.v. Münch
Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG (1989)
Kovakantinen kirja
2197,80
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Technology of Si, Ge, and SiC / Technologie von Si, Ge und SiC
W. Dietze; M. Schulz; E. Doering; H. Weiss; P. Glasow; W. Langheinrich; A. Ludsteck; H. Mader; A. Mühlbauer; W.v Münch
Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG (1983)
Kovakantinen kirja
1841,40
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Siirry koriin
Technologie der Galliumarsenid-Bauelemente
37,40 €
Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG
Sivumäärä: 158 sivua
Asu: Pehmeäkantinen kirja
Painos: Softcover reprint of
Julkaisuvuosi: 2012, 15.03.2012 (lisätietoa)
Kieli: Saksa
Tuotesarja: Technische Physik in Einzeldarstellungen 16
Wahrend die Technologie der Germanium- und Siliziumbauelemente bereits vor J ahren eine auBerordentlich rasche Entwicklung vom Labor- stadium zur industriellen Massenfertigung durchgemacht hat, befindet sich die Technologie der Galliumarsenid-Bauelemente gegenwartig in einem nur verhaltnismaBig langsam fortschreitenden ProzeB des Dber- ganges von der Laborentwicklung zur Fertigungsreife. Diese Tatsache steht in ursachlichem Zusammenhang mit den sehr erheblichen techno- logischen Schwierigkeiten bei der Herstellung geeigneten Galliumarsenid- Materials und bei der Realisierung von Galliumarsenid-Bauelementen. Ferner sind die Ursachen einiger nachteiliger Eigenschaften von Gallium- arsenid-Bauelementen (z. E. Frequenzbegrenzung bei bipolaren Transi- storen, Kennlinienveranderungen bei Tunneldioden) noch nicht voll- standig geklart. In jiingster Zeit ist nun ein steigender kommerzieller Einsatz von Galliumarsenid-Bauelementen - insbesondere von Hochstfrequenz- dioden und optoelektronischen Bauelementen - zu bemerken. Mit dem Einsatz von Elektronentransfer-Bauelementen kann in Kiirze gerechnet werden. Es ist zu erwarten, daB diese neuere Entwicklung, die von wesentlichen Verbesserungen auf dem Materialsektor begleitet wird, auch befruchtend auf die Veiterentwicklung von "klassischen" Bauelementen (bipolare und Feldeffekttransistoren) wirkt. In dieser Situation erscheint es wiinschenswert, einem moglichst groBen Kreis von Fachleuten und Studierenden hoherer Semester eine zusammenfassende Darstellung des heutigen Standes der Galliumarsenid-Technologie zur Verfiigung zu stellen. Die jedem Kapitel beigefiigten Literaturverzeichnisse sollen eine Hilfestellung fiir den an Einzelfragen interessierten Leser geben. Bei der Auswahl der Literaturstellen wurde zusammenfassenden Darstellungen der Vorzug gegeben, da diese - im Vergleich zu Originalarbeiten - dem Leser eine umfassendere und oft besser aufbereitete Information liefern. W. von Munch Inhalt 1. Einleitung . 1 Literatur . . 3 2. Physikalische Eigenschaften des Galliumarsenids .

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Technologie der Galliumarsenid-Bauelemente
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ISBN:
9783642883729
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